功能描述：MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56

制造商：nexperia usa inc.

系列：汽车级，AEC-Q101

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：N 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：120A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：3.6V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：59nC @ 10V

Vgs（最大值）：+20V， -10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：5449pF @ 25V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：172W（Ta）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：3 毫欧 @ 25A，10V

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：LFPAK56，Power-SO8

封装/外壳：SC-100，SOT-669，4-LFPAK

标准包装：1

BUK7Y3R5-40E

BUK7Y3R5-40E,115

BUK7Y41-80EX

BUK7Y43-60EX

BUK7Y4R4-40EX

BUK7Y4R8-60EX

BUK7Y53-100B

BUK7Y53-100B,115

BUK7Y54-75B

BUK7Y54-75B,115